随着以美国为首的西方势力对中国半导体材料的技术制约。半导体材料行业开始发扬国产国造，自助更生的“南泥湾精神”，朝着精细化、 高端化、尖端化自给自足的方向发展。半导体材料检测是对半导体材料的特性参数进行分析测试的技术。由于半导体材料种类繁多，加工工艺复杂，形态各异，技术难度高，这就需要我们通过对半导体材料的特性参数进行测定，真实的反映半导体材料质量情况，掌握其关键参数的生成工艺，从而指导研发技术的更新迭代。

　　一、 常见半导体材料检测种类

　　1、湿电子化学品检测种类

　　(1) 酸碱类:高纯盐酸、高纯硫酸、高纯硝酸、高纯氢氟酸、高纯冰Z酸、高纯草酸、电子级复水、电子级过氧化氢、氢氧化钾溶液、氢氧化钠溶液、电子级磷酸;

　　(2)蚀刻类:铝腐蚀液、铬鹰蚀液、镍银腐蚀液、硅腐蚀液、金蚀刻液、铜蚀刻液、显影液、剥离液、清洗液、ITO蚀刻液、缓释剂、BOE;

　　(3) 溶剂类:甲醇、乙醇、丙醇、丙酮、四甲基氢氧化铵、甲苯、二甲苯、三氯乙烯、环已烷、N-甲基吡略烷酮、丙二醇单甲醚、丙二醇单甲醚醋酸酯等;

　　2、光刻胶及配套试剂检测种类

　　光刻胶、负胶显影液、负胶漂洗液、负胶显影漂洗液、正胶显影液正胶稀释剂、边胶清洗剂、负胶剥离液、正胶剥离波等;

　　3、电池材料检测种类

　　(1)负极材料:碳材料、非碳负极材料、石墨负极材料、锂电池负极材料、硅负极材料、锂离子负极材料、硅碳负极材料、碳素负极材料、沥青负极材料等;

　　(2)正极材料:钻酸锂、锰酸锂、磷酸铁锂、三元材料、镍，钴，锰酸锂、镍锰酸锂、正极材料镍钴锰酸锂等;

　　(3)电解液:锂离子电池用电解液、锂原电池用电解液、六氟磷酸锂、六氟磷酸锂电解液等;

　　(4)电池/电解液添加剂:成膜添加剂、导电添加剂、阻燃添加剂、过充保护添加剂、改善低温性能的添加剂、多功能添加剂等;

　　(5) 电池隔膜:锂电池隔膜、高性能电池隔膜、电池陶瓷隔膜等;

　　4、电子元器件化学品检测种类

　　硝酸铋、硫酸铝、硝酸铝、硝酸钾、溴化钙、重铬酸铵、重络化钼、氯化锶、三氯化梯、磷酸、硅酸钾钠、(硅铝、 硫酸镁、硝酸铜、硝酬锶、氟化氢铵、碳酸钡、氧化销、氟化镁、锑酸钠、氧化镓、氧化铟等;

　　5、电子工业用气体检测种类

　　甲烷、三氯化硼、三氧化氮、六氟化硫、八氧环丁烷、六氟乙烷、四氟化碳、氯化氢、一氧化碳、笑气、硅烷等;

　　6、印刷电子化学品检测种类

　　印刷线路板材料及配套化学品、电子油墨、丝网印刷材料等;

　　7、电子胶类检测种类

　　SMT贴片红胶、LED贴片硅胶、UV胶、AB胶、填充胶、密封胶、导电银胶、硅胶等;

　　8、电子级水检测种类

　　超纯水、纯化水等;

　　9、其他电子材料检测种类

　　CMP抛光材料、靶材、导电录合物、液晶聚合物、聚酯薄膜、抗静电材料、抗蚀剂、封装材料、LED/OLED材料、 发光材料、光学薄膜、平板膜、TFT-LCD面板及 模组构成材料、电子纸、硅材料、太阳能电池膜等;

　　二、导体材料检测项目

　　半导体材料检测的常见性能参数主要为电学性能、光学性能、限用物质等的检测。电学性能主要检测电阻率、尔系数、磁阻等性能;光学性能主要检测器光电导、光吸收等性能。而半导体材料的关键性能检测指标主要为禁带宽度、电阻率、载流子迁移率(载流子即半导体中参加导电的电子和空穴)、非平衡载流子寿命、位错密度等。除此之外，我们还可以检测其杂质含量、杂质缺陷能级等来了解材料的纯度、补偿度。通过X射线、金相分析来了解半导体材料晶体结构的层错、位错密度、夹杂和孪晶等情况。

　　三、将体材料检测方法

　　目前半导体材料检测分析的重点逐渐转向对半导体薄膜，特别是 薄膜的表面、异质结界面性质研究和对薄膜材料的组甜和结构分析。新型测试分析方法如结电容技术，激光光谱技术，俄歇电子能谱、二次离子质谱和电子显微分析技术等的建立与不断完善，为深入研究杂质和缺陷在半导体材料中的行为、杂质与缺陷相互作用、湎、界面质量、混晶组份以及结梅缺陷等提供了有力手段，促进了半导体材料及物理学的发展。

　　所以，费尔检测总结对于半导体原位检测，其光学性能、电学性能以及结构参数，我们可以x射线法、双晶衍射法、卢瑟福背散射和沟道技术、高分辨电镶和断面电子遗镜显微技术、带间吸收光谱法、光致发光和光激发光谱法、子带阿拉晏散射光谱法、磁光吸收和振荡技术等加以鉴定。而耐于大规模集成电路、超高频晶体管制备，一般都是采用在线检测技术， 从而保证产品的成品率。而对于微米级、纳米级尺寸的半导体材料，一般建议采用扫描光致发光系统或激光扫描形貌法来检测。 对于需要面对极低温、强磁场、高压极端试验条件的半导体材料的杂质或缺陷检测，我们推荐使用光热离谱技术、管探测磁共振、电子核子双磁共振技术来测定。